WWW.UA.Z-PDF.RU

БЕЗКОШТОВНА ЕЛЕКТРОННА БІБЛІОТЕКА - Методички, дисертації, книги, підручники, конференції

 
<< HOME
CONTACTS




Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы



Работа в Чехии по безвизу и официально с визой. Номер вайбера +420704758365

Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы
Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 10 |

«О. О. Дробахін, С. В. Плаксін, В. Д. Рябчій, Д. Ю. Салтиков НАВЧАЛЬНИЙ ПОСІБНИК ДО ВИВЧЕННЯ КУРСУ „ТЕХНІКА ТА ЕЛЕКТРОНІКА НВЧ” НАПІВПРОВІДНИКОВІ ТА ФЕРИТОВІ НВЧ-ПРИСТРОЇ ...»

-- [ Страница 1 ] --

1

Міністерство освіти і науки України

Дніпропетровський національний університет

ім. Олеся Гончара

О. О. Дробахін, С. В. Плаксін, В. Д. Рябчій, Д. Ю. Салтиков

НАВЧАЛЬНИЙ ПОСІБНИК

ДО ВИВЧЕННЯ КУРСУ

„ТЕХНІКА ТА ЕЛЕКТРОНІКА НВЧ”

НАПІВПРОВІДНИКОВІ ТА ФЕРИТОВІ

НВЧ-ПРИСТРОЇ

Дніпропетровськ

РВВ ДНУ

УДК 621.396 Рецензенти: д-р фіз.-мат. наук, проф. О. В. Коваленко Н 15 канд. фіз.-мат. наук, доц. Є. М. Привалов Н 15 Навчальний посібник до вивчення курсу „Техніка та електроніка НВЧ”. Напівпровідникові та феритові НВЧ-пристрої [Текст] / О. О. Дробахін, С. В. Плаксін, В. Д. Рябчій, Д. Ю. Салтиков. – Д.: РВВ ДНУ, 2013.– 104 с.

Розглянуто фізичні принципи роботи основних типів напівпровідникових і феритових пристроїв електроніки надвисоких частот. Наведено основні теоретичні співвідношення та типові схеми для напівпровідникових генераторів, підсилювачів та перетворювачів частоти. Сформульовано критерії вибору оптимальних режимів їх роботи, встановлено гранично можливі параметри і методи їх досягнення. Викладено базові відомості щодо технології виробництва напівпровідникових і феритових елементів. Висловлено та проілюстровано конкретними прикладами фізичні принципи побудови напівпровідникових і феритових пристроїв НВЧ-діапазону.

Для студентів ДНУ, які навчаються за напрямком підготовки „Прикладна фізика”.

Темплан 2013, поз. 9 Навчальне видання Олег Олегович Дробахін Сергій Вікторович Плаксін Володимир Денисович Рябчій Дмитро Юрійович Салтиков Навчальний посібник до вивчення курсу „Техніка та електроніка НВЧ” Напівпровідникові та феритові НВЧ-пристрої Редактор А. А. Гриженко Техредактор Л. П. Замятіна Коректор Т. А. Белиба Підписано до друку 27.08.13. Формат 6084/16. Папір друкарський.

Друк плоский. Ум. друк. арк. 6.0. Обл. - вид. арк. 5,4. Ум. фарбовідб. 6,0.

Тираж 100 пр. Зам. № РВВ ДНУ, просп. Гагаріна, 72, м. Дніпропетровськ, 49010.

Друкарня «Ліра», пл. Десантників, 1, м. Дніпропетровськ, 49038.

Свідоцтво про внесення до Державного реєстру серія ДП № 14 від 13.07.2000 р.

© Дробахін О. О., Плаксін С. В., Рябчій В. Д., Салтиков Д. Ю.,2013 Список скорочень АЕ – активний елемент;

АМ – амплітудна модуляція;

АЧХ – амплітудно-частотна характеристика;

БЗ – балансний змішувач;

БТ – біполярний транзистор;

ВАХ – вольт-амперна характеристика;

ВЧ – висока частота;

ГІС – гібридна інтегральна схема;

ДБЗ – подвійний балансний змішувач;

ДБШ – діод з бар’єром Шотткі;

ДЗЧ – дзеркальна частота;

ДЗПТШ – двозатворний польовий тетрод з бар’єром Шотткі;

ДКБЗ – подвійний кільцевий балансний змішувач;

ДМ – діодний міст;

КБЗ – кільцевий балансний змішувач;

КЖ – коло живлення;

ККД – коефіцієнт корисної дії;

КПП – квантовий парамагнітний підсилювач;

КСХ – коефіцієнт стоячої хвилі;

ЛБХ – лампа біжучої хвилі;

ЛЗХ – лампа зворотної хвилі;

ЛПД – лавинно-пролітний діод;

МСЛ – мікросмужкова лінія;

МШП – малошумний підсилювач;

НБЗ – небалансний змішувач;

НВЧ – надвисокі частоти;

НДО – негативний диференціальний опір;

НДП – негативна диференціальна провідність;

НПП – напівпровідниковий параметричний підсилювач;

ОНОЗ – обмежене накопичення об’ємного заряду;

ОТД – обернений тунельний діод;

ПВЧ – підсилювач високої частоти;

ПЕ – перетворювальний елемент;

ППЧ – підсилювач проміжної частоти;

ПТ – польовий транзистор;

ПТШ – польовий транзистор з бар’єром Шотткі;

ПЧ – проміжна частота;

РЕ – розділювальний елемент;

СВ – спрямований відгалужувач;

СПФ – смугопропускний фільтр;

СЧ – сумарна частота;

ТДЛ – трансформатори типу «довгої лінії»;

ТКД – точково-контактний діод;

ТМ – Т-міст;

УК – узгоджувальне коло;

ФАР – фазована антенна решітка;

ФНЧ – фільтр нижніх частот;

ФЧХ – фазо-частотна характеристика;

ХЩЛ – хвилевідно-щілинна лінія;

ЧМ – частотна модуляція;

ЩМ – щілинний міст

Вступ

Прогрес в області напівпровідникових технологій, радіофізики і електроніки надвисоких частот (НВЧ) став підґрунтям для створення багатофункціональних НВЧ-пристроїв для систем керування, навігації і зв’язку, а також безінерційних логічних елементів для систем гігабітної електроніки. Тільки на основі використання напівпровідникових елементів став можливий прийом надзвичайно слабких сигналів, мікромініатюризація приймально-передавальної апаратури, підвищення її надійності та коефіцієнта корисної дії (ККД).

Останнім часом висловлені оригінальні ідеї і позначилися нові тенденції, завдяки чому можливо подолати основну перешкоду до побудови повністю твердотільних приймально-передавальних НВЧ-систем, яка полягає в порівняно малій потужності напівпровідникових передавачів. До таких тенденцій належать: розробка багатошарових напівпровідникових структур, використання режиму обмеженого накопичення об’ємного заряду (ОНОЗ) в діодах Ганна і аномального режиму в лавинно-пролітних діодах (ЛПД), створення нових напівпровідникових пристроїв.

У зв’язку з цим важливим завданням є всебічне підвищення якості підготовки фахівців у галузі мікроелектроніки НВЧ. Основну увагу в першій частині цього видання приділено генераторам, які працюють завдяки ефекту Ганна і генераторам на ЛПД, а також фізичній природі явищ, на яких засновані ці пристрої.

Зовні вони прості, проте їх робота ґрунтується на цілому ряді цікавих фізичних ефектів, які виникають у тих випадках, коли під дією електричного поля електрони в напівпровіднику набувають великої енергії. У другій частині навчального посібника розглянуто основні типи і фізичні принципи роботи напівпровідникових підсилювачів, перетворювачів частоти та феритових пристроїв НВЧдіапазону. У виданні не знайшли відображення питання, пов’язані з роботою польових транзисторів НВЧ, конструкції пасивних елементів НВЧ-пристроїв на основі p-i-n-діодів, варакторів.

Під час викладення матеріалу було вирішено обмежитися досить простим математичним апаратом і приділити більше уваги фізичній картині електронних процесів, які відбуваються в напівпровідникових і феритових приладах.

1. Фізичні основи роботи напівпровідникових приладів НВЧ-діапазону

1.1. Енергетичні зони напівпровідників У техніці НВЧ широко застосовують, зокрема для виготовлення тунельних діодів, такі напівпровідники, як кремній (Si), германій (Ge), арсенід галію (GaAs) і антимонід індію (InSb). Вони мають монокристалічну структуру і кристалічну решітку діамантового типу: кожен атом оточений чотирма атомами, що знаходяться у вершинах правильного тетраедра. За дуже низьких температур (гелієвого рівня охолоджування, температура нижча за 4,2 К) вони проводять електричний струм слабо і за провідністю наближаються до ізоляторів. Проте в умовах кімнатної температури мають задовільну провідність.

Зонна структура напівпровідників, як і інших твердих кристалічних тіл, зумовлюється тим, що електрони в атомі займають дискретні енергетичні рівні. У кристалі внаслідок взаємодії атомів один з одним рівні перетворюються на зони, які складаються з дуже близько розташованих рівнів. Електрофізичні властивості напівпровідника істотно залежать від ширини зони і ступеня її заповнення. Зону, в якій розташовані вільні (зовнішні) електрони атома, називають зоною провідності. Вона відокремлена від нижньої заповненої зони деякою енергетичною щілиною Wg – забороненою зоною. Ці енергетичні щілини в германії, кремнії, арсеніді галію дорівнюють відповідно 0,66; 1,12; 1,43 еВ. Такі напівпровідники називають широкозонними. До вузькозонних напівпровідників належить, наприклад, антимонід індію, в якому ширина забороненої зони дорівнює 0,23 еВ.

Заповнена зона, відокремлена енергетичною щілиною від зони провідності, одержала назву валентної. Електрони валентної зони не дають внеску в провідність напівпровідників. За низьких температур майже всі електрони зосереджені у валентній зоні («заморожені») і провідність відсутня. Одним з можливих механізмів виникнення провідності може бути перехід деякої кількості електронів у зону провідності у разі опромінення кристала світлом, кванти якого Wg. Інший механізм – інжекція носіїв заряду в напівпровідник через спеціальний інжектувальний контакт на межі з напівпровідником (аналог катода у вакуумних пристроях НВЧ).

Крім таких, індукованих, видів провідності існує ще власна провідність, як правило, дуже незначна за величиною. Річ у тому, що за кімнатної температури деякі електрони валентної зони мають енергію, достатню для подолання забороненої зони. Електрони у валентній зоні, що перейшли в зону провідності, залишають порожні місця. В електричному полі ці порожні місця здатні переміщуватися, як деякі позитивні заряди. Такі рухомі вакансії, які мають позитивні заряди, одержали назву дірок.

У зоні провідності електрони дещо більш рухливі, ніж дірки у валентній зоні. Вони ефективно взаємодіють з решіткою і досить швидко віддають їй свою надлишкову кінетичну енергію, опускаючись на дно зони провідності. Як би високо не опинилися в зоні провідності електрони, вони завжди за дуже короткий час збираються на її дні. Іншим процесом є рекомбінація електрона з діркою (спонтанні переходи між зоною провідності і валентною зоною). Проте ці процеси проходять із великим часом релаксації.

Щоб одержати значну провідність, у напівпровідник вводять спеціальні легуючі домішки. Якщо домішкові атоми віддають свої електрони в зону провідності, то такі домішки називають донорними. Енергетичні рівні подібних атомів розташовані в забороненій зоні напівпровідника недалеко від зони провідності. Зазвичай концентрація донорів складає 1014 – 1017 см–3[1]. Такий напівпровідник позначають буковою «n». Якщо дуже висока концентрація (майже металева провідність) – позначають «n+». Напівпровідник, у якому відсутні домішки, називають власним і позначають «i».

Якщо енергетичний рівень домішок розташований трохи вище валентної зони, то домішки досить ефективно захоплюють електрони валентної зони, утворюючи дірки, і називаються акцепторними. Провідність при цьому виявляється дірковою (р-типу). Високолеговані напівпровідники з дірчастою провідністю позначають «р+».

1.2. Процеси перенесення заряду в напівпровідниках Процес перенесення зарядів може відбуватися в напівпровідниках за наявності електронів у зоні провідності і за неповного заповнення електронами валентної зони. У разі виконання цих умов і за відсутності градієнта температури перенесення зарядів може відбуватися або під дією електричного поля, або під дію градієнта концентрації носіїв заряду.

Дрейф носіїв заряду. Направлений рух носіїв заряду під дією електричного поля називають дрейфом. Електрони, прискорені в електричному полі, набувають на довжині вільного пробігу енергії близько 10–8-10–4 еВ. При цьому вони переходять на більш високі енергетичні рівні (різниця в енергіях між сусідніми енергетичними рівнями в дозволеній зоні близько 10–22 еВ).


Купить саженцы и черенки винограда

Более 140 сортов столового винограда.


У результаті дрейфу електронів у напівпровіднику з’являється електронна складова густини дрейфового струму, яку запишемо на підставі закону Ома:

J n др enn E, (1.1) де e – заряд електрона; n – концентрація електронів; n – рухливість електронів, тобто величина, яка числово дорівнює середній швидкості їх направленого руху в електричному полі з напруженістю, що дорівнює одиниці; E – напруженість електричного поля.

Аналогічно, дірчаста складова густини дрейфового струму J p др ep p E, (1.2) де p – концентрація дірок; p – рухливість дірок.

Повна густина дрейфового струму дорівнює J др J n др J p др e(nn p p )E. (1.3) Дифузія носіїв заряду. В результаті нерівномірного розподілу концентрації носіїв заряду в об’ємі напівпровідника за умови відсутності градієнта температури відбувається дифузія – вирівнювання концентрації носіїв у напівпровіднику.

Густину дифузійного струму електронів і дірок визначають за такими виразами:

–  –  –

де m* – ефективна маса частинки, W – енергія носія заряду, m – час релаксації за імпульсом, E – напруженість електричного поля.

Середня швидкість визначає характер вольт-амперної характеристики (ВАХ) і залежить від середньої рухливості () ансамблю носіїв. У найпростішій моделі дрейфу, у відносно невеликих електричних полях, рухливість залишається постійною ( () 0 const) і ВАХ не має жодних особливостей.

У разі складного характеру розсіяння імпульсу електронів у результаті взамодії їх з решіткою кристала (зазвичай у сильних електричних полях) може реалізуватися випадок, коли на ВАХ з’являються ділянки, де похідна dE/dj 0, тобто негативна диференціальна провідність (НДП) зразка внаслідок даного механізму розсіяння. ВАХ при цьому можуть бути двох типів: N-подібні і S-подібні.

1.3. Напівпровідники в сильних електричних полях У сильних електричних полях у напівпровіднику можуть відбуватися фізичні процеси, які призводять до зміни питомої провідності напівпровідника;

ВАХ напівпровідника перестає підкорятися закону Ома; може змінюватися як концентрація носіїв заряду, так і їх рухливість.

Розглянемо спочатку фізичні процеси, які впливають на концентрацію носів заряду.

Ударна іонізація. Вільний електрон (або дірка), розганяючись під дією великої напруженості електричного поля, може набути на довжині вільного пробігу додаткової енергії, достатньої для іонізації домішки або вільного атома напівпровідника. Процес іонізації атомів носієм заряду, розігнаним у полі, називають ударною іонізацією.

Кількісно процес ударної іонізації характеризують коефіцієнти ударної іонізації, які дорівнюють кількості пар носіїв заряду, утворюваних первинним носім на одиниці довжини шляху. За аналогією з теорією електричного розряду в газах, коефіцієнти ударної іонізації в напівпровідниках позначають n та p. Ці коефіцієнти дуже залежать від напруженості електричного поля. Для практичних розрахунків часто використовують емпіричну апроксимацію =A|E|m, де m – досить великий показник ступеня, різний для різних матеріалів (від 5 до 8).

Тунелювання. Сильному електричному полю в напівпровіднику графічно відповідає великий нахил енергетичних зон (рис.1.1). При цьому електрони можуть проходити крізь вузький потенціальний бар’єр (товщиною ) без зміни своєї енергії, тобто тунелювати завдяки своїм квантово-механічним властивостям.

Оскільки процес тунелювання відбувається внаслідок переходу електронів з валентної зони W в зону провідності, то цей процес можна вважати аналогічним автоелектронній емісії або E холодній емісії електронів з металу.

Ймовірність переходу електронів з валентної зони в зону провідності, і навпаки, одна і та ж. Але перехід електронів з валентної зони переважає, оскільки їх там значно більше, x ніж в зоні провідності. Тому концентрація носіРис.1.1. Тунелювання електронів їв заряду зростає під час тунелювання.

з валентної зони в зону провідності Тунельний ефект у напівпровідниках в сильному електричному полі проявляється за дуже великих напруженостей електричного поля: в кремнії – за Е 106 В/см; в германії – за Е 105 В/см. Напруженості електричного поля, за яких проявляється ефект тунелювання, різні для різних матеріалів, оскільки товщина потенційного бар’єра () залежить від ширини забороненої зони напівпровідника за умови незмінної напруженості електричного поля.

<

–  –  –



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 10 |
Похожие работы:

«Сергей Викторович Жадан Anarсhy in the Ukr. Луганський щоденник предоставлено правообладателем http://www.litres.ru/pages/biblio_book/?art=10215128 Сергій Жадан «Anarсhy in the Ukr»: Книжковий Клуб «Клуб Сімейного Дозвілля»; Харків; 2014 ISBN 978-966-14-7927-1,978-966-14-7841-0 Аннотация Актуальний «Луганський щоденник»! Десять років тому герої «Anarchy in the Ukr» здійснили ідейну подорож Східною Україною, місцями бойової слави Нестора Махна. Мандруючи Донбасом, вони шукали відповіді на...»

«ІІ НАЦІОНАЛЬНА КОНФЕРЕНЦІЯ ЗІ ЗМЕНШЕННЯ ШКОДИ, ПОВ’ЯЗАНОЇ ІЗ ВЖИВАННЯМ НАРКОТИКІВ 21–23 березня, 2007 р. Будинок кіно, вул. Саксаганського, 6 Київ, Україна Програма конференції ПРОГРАМА КОНФЕРЕНЦІЇ Актуальність: В лютому 2006 року відбулась Перша Національна конференція зі зменшення шкоди від вживання наркотиків. За минулий рік у сфері зменшення шкоди (ЗШ) сталися зрушення, які створюють нові умови для подальшої роботи щодо впровадження програм ЗШ: Розроблено Дорожню карту щодо розширення...»

«УКРАЇНА ВИЩА РАДА ЮСТИЦІЇ РІШЕННЯ Київ 24 січня 2012 року № 107/0/15-12 Про внесення подання до Верховної Ради України про звільнення Шкіндера О.А. з посади судді Генічеського районного суду Херсонської області за порушення присяги Вища рада юстиції у складі: Колесниченка В.М. – головуючого, Бондика В.А., Висоцького В.І., Ізовітової Л.П., Гаврилюка М.І., Завальнюка В.В., Кобилянського М.Г., Кравченка К.Т., Отрош І.О., Пилипчука П.П., Портнова А.В., Сафулька С.Ф., Татькова В.І., Удовиченка О.С.,...»

«УДК 635.941 ОСОБЛИВОСТІ ВЕГЕТАТИВНОГО РОЗМНОЖЕННЯ САМШИТУ ВІЧНОЗЕЛЕНОГО (BUXUS SEMPERVIRENS L.) В. Ю. Жемчужин, асистент, Р. А. Ярощук, к.с.-г.н. Сумський національний аграрний університет Визначені оптимальні умови розмноження та місцезростання самшиту вічнозеленого, досліджена залежність укорінення живців від впливу стимуляторів росту. Для кращого укорінення живців ми рекомендуємо препарат гетероауксин. Результати досліджень свідчать, що використання гетероауксину збільшує укоріненість живців...»

«SWorld – 18-27 December 2012 http://www.sworld.com.ua/index.php/ru/conference/the-content-of-conferences/archives-of-individual-conferences/december-2012 MODERN PROBLEMS AND WAYS OF THEIR SOLUTION IN SCIENCE, TRANSPORT, PRODUCTION AND EDUCATION‘ 2012 Доклад/Искусствоведение, архитектура и строительство – Музееведение УДК 025.85. Дзендзелюк Л.С., Льода Л.М. ДЕЗІНФЕКЦІЯ ДОКУМЕНТІВ НА ПЕРГАМЕНТНІЙ ОСНОВІ Львівська національна наукова бібліотека України імені В. Стефаника, Львів, Стефаника 2, 79000...»

«Державний архів Донецької області Методичні рекомендації Порядок передавання документів для подальшого зберігання при реорганізації або ліквідації установ СХВАЛЕНО Протокол НМР держархіву Донецької області від 29.03.2006 № 3 Донецьк 2006 ЗМІСТ 1. Загальна частина. 3 2. Порядок організації упорядкування та передавання документів для подальшого зберігання у випадку реорганізації або ліквідації установ. 3-4 3. Проведення експертизи цінності документів та оформлення її результатів. 4 3.1....»

«їх руйнування, що гарантуватиме належний рівень очищення стічних вод у промислових умовах. Підібрано суміш органічних розчинників, яка може використовуватись в ролі екстрагенту.1. Кошель М. Захист довкілля від антропогенних чинників: проблеми попередження забруднення та мінімізація відходів виробництва // Семінар 20-21 лютого 1997 року. – Львів, 1997. – 97с. 2. Шматко Т. та ін. Ефективне очищення стічних вод // Харчова і переробна промисловість. – 1998. – № 6. – С. 27. 3. Рашевська Т. Переробка...»

«200 УДК 712.2:712.41+581.327 (477.63) БОТАНІКО-ГЕОГРАФІЧНИЙ АНАЛІЗ І ЧАСТОТА ТРАПЛЯННЯ ВИДІВ ДЕРЕВНО-ЧАГАРНИКОВОЇ РОСЛИННОСТІ ЗЕЛЕНИХ НАСАДЖЕНЬ КРИВОГО РОГУ Терлига Н.С., Федоровський В. Д., Юхименко Ю.С., Данильчук О.В., Данильчук Н.М., Лаптєва О.В. Криворізький ботанічний сад НАН України 50089, Україна, Кривий Ріг, вул.Маршака,50 terlyga-natalja@rambler.ru Наведені результати ботаніко-географічного аналізу дендрофлори, виявленої при обстеженні парків і скверів міста Кривий Ріг. Встановлений...»

«МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ ЧЕРНІГІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНОЛОГІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ВІЛЬНЕ ПРОГРАМНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ В ОСВІТІ, НАУЦІ ТА БІЗНЕСІ Тези доповідей шостої всеукраїнської науково-практичної конференції ( м. Чернігів, 15 травня 2015 р.) Чернігів 2015 УДК 004.4 ББК 32.973-018.2 В46 Друкується за рішенням вченої ради Чернігівського національного технологічного університету (протокол № 6 від 30 червня 2015 року). Вільне програмне забезпечення в освіті, науці та бізнесі : тези доповідей...»

«Вісник ЛНУ імені Тараса Шевченка № 18 (277), Ч. ІII, 2013 УДК [378.091.33:338.48]-044.337 Л. В. Мальцева ШЛЯХИ ВДОСКОНАЛЕННЯ НАВЧАЛЬНОГО ПРОЦЕСУ ПРИ ПІДГОТОВЦІ ФАХІВЦІВ СФЕРИ ТУРИЗМУ Нові проблеми міжнародного та внутрішнього життя суспільства, нові наукові відкриття, нове молоде покоління, яке формується під впливом умов сьогодення, ставлять перед вихованням та навчанням нові й складні задачі. Головним завдання сучасного навчального процесу є досконала підготовка фахівців будь-якої...»

««Хімічний трикутник» Луганщини під час окупації: заручники, катування та позасудові страти Звіт за результатами візиту моніторингової групи Центру Громадянських Свобод до Сєверодонецька, Лисичанська та Рубіжного протягом 6-11 грудня 2014 року Київ 5 січня 2014 року Дана публікація була підготовлена в рамках проекту «Демократизація, права людини і розвиток громадянського суспільства», який виконується Програмою розвитку ООН Україні та фінансується міністерством закордонних справ Данії протягом...»

«УДК 691.51.:666.946/968+66.08 С.Г. Гузій Київський національний університет будівництва і архітектури, Науково-дослідний інститут в’яжучих речовин і матеріалів ім. В.Д. Глуховського ВОГНЕЗАХИСТ БЕТОНУ ГЕОЦЕМЕНТНИМИ ПОКРИТТЯМИ © Гузій С.Г., 2013 Показано можливість підвищення нормованої межі вогнестійкості бетонних конструкцій тунельних споруд до 120 хв за допомогою використання тонкошарових геоцементних покриттів, що спучуються в умовах температурного режиму вуглеводної пожежі. Встановлено, що...»

«Титульний аркуш Підтверджую ідентичність електронної та паперової форм інформації, що подається до Комісії, та достовірність інформації, наданої для розкриття в загальнодоступній інформаційній базі даних Комісії. Мартинов Геннадій Голова Правління Миколайович (посада) (підпис) (прізвище та ініціали керівника) 27.04.2012 М.П. (дата) Річна інформація емітента цінних паперів за 2011 рік 1. Загальні відомості Повне найменування емітента 1.1. ПУБЛІЧНЕ АКЦІОНЕРНЕ ТОВАРИСТВО КВАЗАР...»




Продажа зелёных и сухих саженцев столовых сортов Винограда (по Украине)
Тел.: (050)697-98-00, (067)176-69-25, (063)846-28-10
Розовые сорта
Белые сорта
Чёрные сорта
Вегетирующие зелёные саженцы


 
2017 www.ua.z-pdf.ru - «Безкоштовна електронна бібліотека»